Nvis 6512A Techbook para Compreender as Características do MOSFET, FET e UJT

Nvis 6512A Techbook para Compreender as Características do MOSFET, FET e UJT é uma placa experimental compacta e pronta para usar. Isso é útil para os alunos traçarem diferentes características de MOSFET de canal n, FET de canal n e UJT e entender o funcionamento desses dispositivos eletrônicos de potência em várias regiões. Utilizando este produto, o aluno também pode avaliar os parâmetros FET (resistência à drenagem, transcondutância e fator de amplificação) e os parâmetros da UJT (resistência entre bases e razão de separação intrínseca). A fonte de alimentação CC integrada, o voltímetro e o amperímetro com recursos do DPM tornam este produto fácil de operar e podem ser usados ​​como um sistema independente. A placa permite ao aluno construir circuitos usando componentes externos junto com recursos a bordo

Nvis 6512A Techbook para Compreender as Características do MOSFET, FET e UJT é uma plataforma ideal para melhorar a educação, o treinamento, as habilidades e o desenvolvimento de nossas mentes jovens.

- MainsSupply: 90-230 V, 50 Hz
           -- DC Fixed Power Supply: -5 V,+15 V,+35 V
           -- DC Variable Power Supply: 1.5 V to 14 V
                                                      1.5 V to 34 V

- Voltmeter: 0-200 V

- Ammeter: 0-200 mA

- BreadBoard:
           -- Dimension (mm): 175 x 61 x 10
           -- Distribution strips: 2
           -- Distribution holes: 200
           -- Terminal Strips: 1
           -- Terminal holes: 640

- Resistor Bank: M.F.R. 100E 1W (3 Nos.)
                           M.F.R. 470E 1W (3 Nos.)
                           M.F.R. 1K 1W (3 Nos.)

- Variable Resistances: 5 KΩ Ten turn Potentiometer (1 No.)
                                     10KΩ Ten turn Potentiometer (1No.)
                                     5KΩ Single turn Potentiometer (1No.)

- Fuse: 500 mA, slow blow

- Dimensions (mm): 350 x D 280 x H 55

- Estudar e rastrear as características de drenagem do MOSFET de n canais
- Estudar e representar graficamente as características de transferência do canal n MOSFET
- Estudar e representar graficamente as características V-I do JFET. Avaliação dos seguintes parâmetros do JFET: DC Resistência à drenagem, transcondutância, fator de amplificação.
- Plote as características VI da UJT. Avaliação dos seguintes parâmetros da UJT: razão de separação intrínseca, resistência entre bases.